### **Specifications:**  
- **Type:** Silicon NPN Transistor  
- **Package:** TO-92  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 30V  
- **Collector Current (IC):** 100mA  
- **Power Dissipation (Pd):** 625mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 100 (min) at IC = 2mA, VCE = 5V  
- **Transition Frequency (fT):** 250MHz (typical)  

### **Descriptions:**  
The K3021P is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) designed for low-power amplification and switching applications.  

### **Features:**  
- High current gain (hFE)  
- Low noise performance  
- Suitable for small-signal amplification  
- Compact TO-92 package for easy mounting  

This information is based on VISHAY's datasheet for the K3021P transistor.