**Specifications:**  
- **Type:** Power Transistor  
- **Material:** Silicon (Si)  
- **Polarity:** NPN  
- **Maximum Collector-Base Voltage (Vcb):** 900V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (Vce):** 800V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (Veb):** 7V  
- **Collector Current (Ic):** 6A  
- **Power Dissipation (Pd):** 80W  
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C  
- **Storage Temperature Range (Tstg):** -55°C to +150°C  

**Descriptions:**  
- The K2698 is a high-voltage NPN power transistor designed for switching and amplification applications.  
- Suitable for use in power supplies, inverters, and motor control circuits.  
- Features a rugged construction for reliable performance in demanding environments.  

**Features:**  
- High voltage capability  
- Low saturation voltage  
- Fast switching speed  
- Robust and durable design  
- TO-3P package for efficient heat dissipation  

For exact application details, refer to the official TOSHIBA datasheet.