1Mx16 bit Uni-Transistor Random Access Memory The part **K1S1616B1A-FI70** is a **16M (1M x 16) CMOS Synchronous DRAM** manufactured by **Samsung**.  

### **Specifications:**  
- **Organization:** 1M words × 16 bits  
- **Voltage Supply:** 3.3V (±0.3V)  
- **Access Time:** 70 ns  
- **Package Type:** 50-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to 70°C) or Industrial (-40°C to 85°C)  
- **Refresh Cycles:** 4096 refresh cycles every 64ms  
- **Interface:** Synchronous (supports burst mode operation)  

### **Features:**  
- Fully synchronous operation with a single 3.3V power supply  
- **CAS Latency:** Programmable (2 or 3)  
- **Burst Length:** 1, 2, 4, 8, or full page  
- Auto refresh and self refresh modes  
- **Data Mask (DM)** for byte control  
- **Low Power Consumption:** Standby and power-down modes supported  

This DRAM is typically used in **embedded systems, networking devices, and telecommunications equipment**.  

(Source: Samsung datasheet for K1S1616B1A-FI70)