Diode Silicon Epitaxial Planar Type VCO for UHF Band Radio The part **JDV4P08U** is manufactured by **TOSHIBA**. Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Configuration:** Single N-channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 80V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 40A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 160A  
- **Power Dissipation (P_D):** 100W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 8mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Package:** TO-220SIS  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for **high-efficiency power switching** applications.  
- **Low on-resistance** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching speed** for improved performance in switching regulators and motor control.  
- **Avalanche energy specified** for ruggedness in inductive load applications.  
- **Lead-free and RoHS compliant**.  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official **TOSHIBA datasheet**.