Variable capacitance diode for electronic tuning applications The part **JDV2S41FS** is manufactured by **TOSHIBA**. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** TOSHIBA  
- **Part Number:** JDV2S41FS  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
- **Polarity:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Power Dissipation (P_D):** 30W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 5.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) - 2.5V (max)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power switching applications.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances reliability in rugged environments.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **Logic Level Compatible:** Can be driven by low-voltage control circuits.  
- **Applications:** Power management in DC-DC converters, motor control, and battery protection circuits.  

For detailed datasheets or additional technical parameters, refer to TOSHIBA’s official documentation.

Variable capacitance diode for electronic tuning applications