VCO for UHF Band Radio The part **JDV2S17S** is a **TOSHIBA** **MOSFET** with the following specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 17mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for **high-efficiency power switching** applications.  
- **Low on-resistance** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching performance** for improved efficiency.  
- **Avalanche energy specified** for ruggedness in inductive load applications.  
- **Lead-free and RoHS compliant**.  
- **Package:** TO-220SIS (isolated type) for improved thermal performance.  

This MOSFET is commonly used in **DC-DC converters, motor control, power supplies, and other high-current switching circuits**.  

Would you like additional details on a specific parameter?