Diode Silicon Epitaxial Planar Type Useful for VCO/TCXO The part **JDV2S14E** is manufactured by **TOSHIBA**. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Configuration:** Single N-channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 14mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 35nC (typical)  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency switching applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-current applications.  

### **Features:**  
- **Fast switching speed**  
- **Low gate drive requirement**  
- **Avalanche energy specified**  
- **Lead-free and RoHS compliant**  

For exact application details, refer to the official **TOSHIBA datasheet**.