Diode Silicon Epitaxial Planar Type, VCO for UHF Band Radio The part **JDV2S06S** is a **Schottky Barrier Diode** manufactured by **TOSHIBA**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** Schottky Barrier Diode  
- **Package:** SOD-323 (Mini-Mold)  
- **Maximum Reverse Voltage (VR):** 60V  
- **Average Rectified Current (IO):** 0.2A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 1A  
- **Forward Voltage (VF):** 0.55V (at 0.1A)  
- **Reverse Leakage Current (IR):** 0.1μA (at 60V)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +125°C  

### **Features:**  
- **Low Forward Voltage Drop** for improved efficiency.  
- **High-Speed Switching** due to Schottky barrier structure.  
- **Miniature SOD-323 Package** for space-saving designs.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant.**  

### **Applications:**  
- Power rectification in low-voltage circuits.  
- High-frequency switching applications.  
- Protection circuits and reverse polarity prevention.  

For detailed datasheet information, refer to **TOSHIBA's official documentation**.