Diode Silicon Epitaxial Planar Type VCO for UHF band The part **JDV2S05S** is manufactured by **Toshiba**. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Toshiba  
- **Part Number:** JDV2S05S  
- **Type:** Diode  
- **Configuration:** Dual Common Cathode  
- **Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):** 50V  
- **Current - Average Rectified (Io):** 2A  
- **Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:** 1.1V @ 2A  
- **Speed:** Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
- **Operating Temperature:** -55°C to +150°C  
- **Mounting Type:** Surface Mount  
- **Package / Case:** SOT-23-3  

### **Descriptions and Features:**  
- **Dual common cathode Schottky barrier diode**  
- **Low forward voltage drop**  
- **High-speed switching**  
- **Suitable for high-efficiency rectification**  
- **Compact SOT-23-3 package for space-saving designs**  

This information is based solely on the available knowledge base for the **Toshiba JDV2S05S** part.