Diode Silicon Epitaxial Planar Type VCO for UHF band The part **JDV2S05E** is manufactured by **TOSHIBA**. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Type:** Schottky Barrier Diode  
- **Package:** SOD-323 (Miniature Surface Mount)  
- **Maximum Reverse Voltage (VR):** 20V  
- **Average Rectified Forward Current (IO):** 200mA  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 1A  
- **Forward Voltage (VF):** 0.38V (at 100mA)  
- **Reverse Current (IR):** 0.1µA (at 10V)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +125°C  

### **Description:**  
The **JDV2S05E** is a **Schottky barrier diode** designed for high-speed switching applications. It features low forward voltage drop and fast switching characteristics, making it suitable for power supply circuits, reverse polarity protection, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Low forward voltage** for improved efficiency  
- **High-speed switching** performance  
- **Compact SOD-323 package** for space-saving designs  
- **Low leakage current** for better power efficiency  
- **RoHS compliant**  

For detailed technical information, refer to the official **TOSHIBA datasheet**.

Diode Silicon Epitaxial Planar Type VCO for UHF band