Diode Silicon Epitaxial Planar Type VHF Tuner Band Switch Applications The part **JDS2S03S** is manufactured by **TOSHIBA**. Below are the factual specifications, descriptions, and features based on available information:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** TOSHIBA  
- **Part Number:** JDS2S03S  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Configuration:** Dual N-channel  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Drain Current (ID):** 6A (per channel)  
- **Power Dissipation (PD):** 2W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 50mΩ (max)  
- **Package:** SOP-8 (Small Outline Package)  

### **Descriptions:**  
- The **JDS2S03S** is a dual N-channel MOSFET designed for power management applications.  
- It is suitable for switching and amplification in low-voltage circuits.  
- The SOP-8 package ensures compact PCB mounting.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for efficient power handling.  
- High-speed switching performance.  
- Built-in gate protection diode.  
- Suitable for battery-powered and portable devices.  

For exact application details, refer to TOSHIBA’s official datasheet.