Radio-frequency switching diode The part **JDP4P02AT** is manufactured by **TOSHIBA**. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge base:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** TOSHIBA  
- **Part Number:** JDP4P02AT  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Technology:** N-Channel  
- **Voltage Rating (VDS):** 40V  
- **Current Rating (ID):** 40A  
- **Power Dissipation (PD):** 50W  
- **Package:** TO-220AB  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.025Ω (max)  
- **Mounting Type:** Through Hole  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance (RDS(on)) for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  
- Robust TO-220AB package for effective heat dissipation.  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official **TOSHIBA datasheet** for **JDP4P02AT**.