Radio-frequency switching diode The part **JDP2S08SC** is manufactured by **TOSHIBA**. Below are the specifications, descriptions, and features based on available information:  

### **Specifications:**  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Configuration:** Dual N-channel  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 20V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±8V  
- **Drain Current (ID):** 6A (per channel)  
- **Power Dissipation (PD):** 2W (per channel)  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 30mΩ (max) at VGS = 4.5V  
- **Package:** SOP-8 (Small Outline Package)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance (RDS(on)) for reduced power loss.  
- Fast switching performance.  
- Suitable for load switching, DC-DC converters, and motor control.  
- Compact SOP-8 package for space-saving PCB design.  

For exact datasheet details, refer to **TOSHIBA's official documentation**.