Diode Silicon Epitaxial Pin Type UHF~VHF Band RF Attenuator Applications The part **JDP2S02S** is manufactured by **TOSHIBA**. Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Configuration:** Dual N-channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Drain Current (I_D):** 6A (per channel)  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W (per channel)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 50mΩ (max) at V_GS = 4.5V  
- **Package:** SOP-8 (Small Outline Package)  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Suitable for load switching, DC-DC converters, and motor control.  
- Low on-resistance for reduced power loss.  

### **Features:**  
- **Dual N-channel MOSFET** in a single package.  
- **Low threshold voltage** for compatibility with low-voltage drive circuits.  
- **Fast switching speed** for improved performance.  
- **Compact SOP-8 package** for space-saving designs.  

This information is strictly based on the available data for the **TOSHIBA JDP2S02S** MOSFET.