Radio-frequency switching diode The part **JDP2S02ACT** is manufactured by **TOSHIBA**. Below are its specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Configuration:** Dual N-channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6A (per channel)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 24A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W (per channel)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.035Ω (max) at V_GS = 4.5V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- **Dual N-channel MOSFET** in a compact package for space-saving designs.  
- **Low on-resistance (R_DS(on))** for efficient power handling.  
- **Fast switching performance** suitable for high-frequency applications.  
- **Built-in gate protection diode** for enhanced reliability.  
- **Common-drain configuration** simplifies circuit design.  
- **Suitable for power management** in portable devices, DC-DC converters, and motor control applications.  

For detailed application notes and pin configurations, refer to the official **TOSHIBA datasheet**.