Diode Silicon Epitaxial Pin Type UHF~VHF Band RF Attenuator Applications The part **JDP2S01T** is manufactured by **TOSHIBA**. Below are its specifications, descriptions, and features based on available information:  

### **Specifications:**  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Configuration:** Dual N-channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS):** ±12V  
- **Drain Current (I_D):** 6A (per channel)  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W (per channel)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 50mΩ (max) at V_GS = 4.5V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOP-8 (Small Outline Package)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Dual N-channel MOSFET** designed for power switching applications.  
- **Low on-resistance** for efficient power management.  
- **Compact SOP-8 package** suitable for space-constrained designs.  
- **High-speed switching** performance.  
- **Common applications:** DC-DC converters, motor drivers, load switches, and power management circuits.  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official **TOSHIBA datasheet**.

Diode Silicon Epitaxial Pin Type UHF~VHF Band RF Attenuator Applications The part **JDP2S01T** is a **Dual N-Channel Power MOSFET** manufactured by **Toshiba**.  

### **Manufacturer Specifications:**  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Package:** SOP-8 (Small Outline Package)  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** 6A (per channel)  
- **Total Power Dissipation (P_D):** 2W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 30mΩ (typical) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (typical)  

### **Descriptions and Features:**  
- **Dual MOSFET Structure:** Contains two independent N-Channel MOSFETs in a single package.  
- **Low On-Resistance:** Provides efficient power switching with minimal conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by low-voltage control signals (5V or lower).  
- **Applications:** Used in power management circuits, DC-DC converters, motor drivers, and load switches.  

This information is based on Toshiba's datasheet for the **JDP2S01T** MOSFET.