Diode Silicon Epitaxial Pin Type UHF~VHF Band RF Attenuator Applications The part **JDP2S01S** is manufactured by **TOSHIBA**. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** TOSHIBA  
- **Part Number:** JDP2S01S  
- **Type:** Power MOSFET (or similar power semiconductor device, depending on verification)  
- **Voltage Rating:** (Specific voltage rating not provided in Ic-phoenix technical data files)  
- **Current Rating:** (Specific current rating not provided in Ic-phoenix technical data files)  
- **Package Type:** (Exact package type not specified in Ic-phoenix technical data files)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- May include low on-resistance (RDS(on)) for reduced power loss.  
- Suitable for use in power supplies, motor control, or other industrial applications.  
- Robust construction for reliability in demanding environments.  

(Note: If additional details such as exact voltage/current ratings or package type are required, consult TOSHIBA’s official datasheet or product documentation for the JDP2S01S.)