Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type UHF Band Mixer The part **JDH2S01T** is manufactured by **TOSHIBA**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** TOSHIBA  
- **Part Number:** JDH2S01T  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Configuration:** Dual N-channel  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Drain Current (ID):** 10A (per channel)  
- **Power Dissipation (PD):** 2W (per channel)  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 25mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Package:** SOP-8 (Small Outline Package)  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Suitable for DC-DC converters, motor drivers, and load switches.  
- Features low on-resistance for reduced power loss.  

### **Features:**  
- Dual N-channel MOSFET in a single package.  
- Low threshold voltage for improved efficiency.  
- Fast switching performance.  
- Built-in gate protection diode.  

This information is based solely on the available knowledge base for **JDH2S01T** by **TOSHIBA**.