PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR The JANTXV2N6052 is a high-reliability power MOSFET manufactured by **MICROSEMI**. Here are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Voltage Ratings:**  
  - **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
  - **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Current Ratings:**  
  - **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
  - **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W (at 25°C case temperature)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** Typically 0.04Ω (at V_GS = 10V, I_D = 15A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-254 (TO-3P variant)  

### **Descriptions and Features:**  
- **High Reliability:** Qualified for military and aerospace applications (JANTXV designation).  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed power switching.  
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency in power applications.  
- **Rugged Design:** Capable of handling high current and power levels.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load switching.  

This MOSFET is commonly used in **power supplies, motor control, and high-current switching circuits** where high reliability is critical.

PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR