LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR The JANTXV2N3019S is a high-reliability, military-grade NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by **MOT** (Microsemi or other authorized suppliers).  

### **Manufacturer Specifications:**  
- **Manufacturer:** MOT (Microsemi or other qualified suppliers for JANTXV parts)  
- **Part Type:** NPN Silicon Transistor  
- **Military Standard:** JANTXV (highest reliability level per MIL-PRF-19500)  
- **Package:** TO-39 Metal Can  
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +200°C  
- **Voltage Ratings:**  
  - **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 80V  
  - **Collector-Base Voltage (V_CBO):** 100V  
  - **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 5V  
- **Current Ratings:**  
  - **Continuous Collector Current (I_C):** 1A  
  - **Peak Collector Current (I_CM):** 2A  
- **Power Dissipation (P_D):** 3W at 25°C (derated at higher temperatures)  
- **Gain (h_FE):** Typically 20 to 120 (varies with operating conditions)  
- **Switching Speed:** Moderate (suitable for linear and switching applications)  

### **Descriptions & Features:**  
- **High Reliability:** Meets MIL-PRF-19500 standards for military and aerospace applications.  
- **Rugged Construction:** TO-39 metal can package ensures durability in harsh environments.  
- **Wide Temperature Range:** Operates reliably from -65°C to +200°C.  
- **Applications:** Used in power amplification, switching circuits, and high-reliability systems.  
- **Radiation Hardened (if applicable):** Some versions may offer enhanced radiation tolerance.  

This transistor is designed for critical applications where failure is not an option, such as defense, aerospace, and industrial systems.

LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR