LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR The JANTXV2N3019S is a high-reliability, military-grade NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by **MOT** (Microsemi or other authorized suppliers).  

### **Manufacturer Specifications:**  
- **Manufacturer:** MOT (Microsemi or other qualified suppliers for JANTXV parts)  
- **Part Type:** NPN Silicon Transistor  
- **Military Standard:** JANTXV (highest reliability level per MIL-PRF-19500)  
- **Package:** TO-39 Metal Can  
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +200°C  
- **Voltage Ratings:**  
  - **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 80V  
  - **Collector-Base Voltage (V_CBO):** 100V  
  - **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 5V  
- **Current Ratings:**  
  - **Continuous Collector Current (I_C):** 1A  
  - **Peak Collector Current (I_CM):** 2A  
- **Power Dissipation (P_D):** 3W at 25°C (derated at higher temperatures)  
- **Gain (h_FE):** Typically 20 to 120 (varies with operating conditions)  
- **Switching Speed:** Moderate (suitable for linear and switching applications)  

### **Descriptions & Features:**  
- **High Reliability:** Meets MIL-PRF-19500 standards for military and aerospace applications.  
- **Rugged Construction:** TO-39 metal can package ensures durability in harsh environments.  
- **Wide Temperature Range:** Operates reliably from -65°C to +200°C.  
- **Applications:** Used in power amplification, switching circuits, and high-reliability systems.  
- **Radiation Hardened (if applicable):** Some versions may offer enhanced radiation tolerance.  

This transistor is designed for critical applications where failure is not an option, such as defense, aerospace, and industrial systems.