400V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package The JANTX2N6800 is a high-reliability, military-grade N-channel silicon field-effect transistor (FET) manufactured by International Rectifier (IR).  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Silicon FET  
- **Maximum Drain-Source Voltage (V_DSS):** 50V  
- **Maximum Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 0.5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Junction Temperature (T_J):** 175°C  
- **Input Capacitance (C_iss):** 15pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 5pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 2pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 25ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 15ns (typical)  

### **Descriptions and Features:**  
- **Military-Grade Reliability:** Meets JANTX standards for high-reliability applications.  
- **Low Input Capacitance:** Enables fast switching performance.  
- **High Input Impedance:** Suitable for low-power drive circuits.  
- **Robust Construction:** Designed for harsh environments and extended operational life.  
- **Hermetic Packaging:** Ensures protection against moisture and contaminants.  
- **Applications:** Used in military, aerospace, and high-reliability electronic systems, including switching and amplification circuits.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.