200V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package The JANTX2N6798 is a high-reliability, military-grade N-channel power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS):** 400V  
- **Current Rating (ID):** 5A (continuous)  
- **Power Dissipation (PD):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 1.5Ω (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 300pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 60pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 10pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 15ns (typical)  
- **Rise Time (tr):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 60ns (typical)  
- **Fall Time (tf):** 30ns (typical)  

### **Description:**  
- The JANTX2N6798 is a rugged, high-voltage MOSFET designed for demanding military and aerospace applications.  
- It is built with IR’s advanced power MOSFET technology for high efficiency and reliability.  
- The device is qualified to MIL-PRF-19500 standards, ensuring stringent performance and quality requirements.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (400V)**  
- **Low On-Resistance (RDS(on))**  
- **Fast Switching Speeds**  
- **High Power Dissipation (150W)**  
- **Military-Grade Reliability (JANTX Qualified)**  
- **Hermetically Sealed Package (TO-205AA / TO-39 Metal Can)**  
- **Radiation Hardened (for space applications, where applicable)**  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and military specifications.