200V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package The JANTX2N6790 is a high-reliability, military-grade N-channel power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 400V  
- **Current Rating (I_D):** 5A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 50ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 100ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 50ns (typical)  

### **Description:**  
- The JANTX2N6790 is a rugged, high-voltage MOSFET designed for demanding military and aerospace applications.  
- It is qualified to MIL-PRF-19500 standards, ensuring high reliability in harsh environments.  
- The device is hermetically sealed in a TO-257 metal can package for superior thermal and mechanical performance.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 400V drain-source breakdown voltage.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **High Power Dissipation:** 150W rating for robust performance.  
- **Hermetic Packaging:** Ensures reliability in extreme conditions.  
- **Radiation Hardened:** Suitable for space and military applications.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and specifications.