PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR The JANTX2N2907A is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by ON Semiconductor. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** ON Semiconductor  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** PNP  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -60V  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** -60V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** -600mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 500mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 20 to 60 (at I_C = -150mA, V_CE = -4V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 200MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +200°C  

### **Descriptions and Features:**  
- **Military-grade reliability** (JANTX designation indicates high-reliability screening per MIL-PRF-19500)  
- **High current capability** (up to 600mA)  
- **Low saturation voltage** for efficient switching applications  
- **Designed for high-speed switching and amplification**  
- **Hermetically sealed package** (TO-18 metal can) for rugged performance  
- **Suitable for harsh environments** due to extended temperature range  

This information is based strictly on the datasheet and manufacturer-provided details.

PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR The JANTX2N2907A is a PNP silicon transistor manufactured by **MOTOROLA**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Silicon Transistor  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CBO):** -60V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** -60V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EBO):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -600mA (continuous)  
- **Power Dissipation (P_D):** 500mW (at 25°C)  
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +200°C  
- **DC Current Gain (h_FE):** 30 to 120 (at I_C = -10mA, V_CE = -1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 200MHz (typical)  

### **Descriptions and Features:**  
- **Military-grade reliability (JANTX designation)**  
- **High current gain and low saturation voltage**  
- **Designed for high-speed switching and amplifier applications**  
- **Hermetically sealed metal can package (TO-18)**  
- **Strict manufacturing controls for military and aerospace applications**  

This transistor is commonly used in **switching circuits, amplifiers, and high-reliability applications** where performance under extreme conditions is required.