NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR The JANTX2N2219A is a high-reliability, military-grade NPN bipolar junction transistor (BJT). Below are its specifications, descriptions, and features based on available data:  
### **Manufacturer:**  
- The JANTX2N2219A is manufactured by multiple qualified suppliers under military specifications, including companies like ON Semiconductor, Microsemi, and others approved for MIL-PRF-19500 compliance.  
### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** NPN  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (VCE):** 40V  
- **Maximum Collector-Base Voltage (VCB):** 75V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (VEB):** 6V  
- **Continuous Collector Current (IC):** 800mA  
- **Power Dissipation (PD):** 800mW (at 25°C)  
- **DC Current Gain (hFE):** 30 to 120 (at IC = 150mA, VCE = 1V)  
- **Transition Frequency (fT):** 250MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +200°C  
- **Package Type:** TO-39 (hermetically sealed metal can)  
### **Descriptions:**  
- The JANTX2N2219A is a rugged, high-speed switching and amplification transistor designed for military and aerospace applications.  
- It is built to meet stringent reliability standards (MIL-PRF-19500) for radiation-hardened and high-temperature environments.  
- Suitable for RF, switching, and general-purpose amplification in critical systems.  
### **Features:**  
- **High Reliability:** Manufactured under strict military standards (JANTX level).  
- **Hermetic Sealing:** TO-39 package ensures durability in harsh conditions.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Wide Temperature Range:** Operates reliably in extreme environments.  
This information is based on military datasheets and manufacturer specifications.