PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR The JAN2N6052 is a high-power PNP silicon transistor manufactured by **MOTOROLA**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** PNP Silicon  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -60V  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** -60V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Maximum Collector Current (I_C):** -4A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 20 to 70 (at I_C = 2A, V_CE = -4V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 2MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +200°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-power applications requiring robust performance.  
- Suitable for switching and amplification in industrial and military environments.  
- **JAN (Joint Army-Navy) certified**, indicating compliance with military-grade reliability standards.  
- Encased in a **TO-3 metal package**, ensuring durability and efficient heat dissipation.  
- Features **low saturation voltage**, enhancing efficiency in power applications.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and specifications.

PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR