NPN POWER SILICON TRANSISTOR The JAN2N5662 is a high-reliability, military-grade silicon NPN transistor manufactured by NES (National Electronics Supplier).  

**Specifications:**  
- **Type:** NPN Silicon Transistor  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 40V  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CBO):** 60V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 5V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** 600mA  
- **Total Power Dissipation (P_D):** 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 40 (min) at I_C = 150mA  
- **Transition Frequency (f_T):** 100MHz (min)  
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +200°C  

**Descriptions & Features:**  
- Designed for high-reliability military and aerospace applications.  
- Hermetically sealed metal can package for rugged environments.  
- Meets MIL-PRF-19500/525 standards.  
- Suitable for switching and amplification in harsh conditions.  
- Low leakage and high breakdown voltage characteristics.  

This part is typically used in critical systems requiring long-term reliability under extreme conditions.

NPN POWER SILICON TRANSISTOR