P-CHANNEL J-FET The JAN2N5115 is a high-reliability, military-grade transistor manufactured to meet stringent military specifications (JAN designation).  

### **Manufacturer:**  
- The JAN2N5115 is produced by qualified military-approved semiconductor manufacturers, such as **Microsemi (now part of Microchip Technology)** and other certified suppliers.  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Silicon Transistor  
- **Application:** High-reliability military and aerospace applications  
- **Voltage Ratings:**  
  - Collector-Emitter Voltage (V_CEO): 60V  
  - Collector-Base Voltage (V_CBO): 80V  
  - Emitter-Base Voltage (V_EBO): 5V  
- **Current Ratings:**  
  - Collector Current (I_C): 1A  
  - Base Current (I_B): 0.5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 5W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 20 to 120 (varies with operating conditions)  
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +200°C  
- **Package:** TO-39 metal can (hermetic seal for high reliability)  

### **Descriptions and Features:**  
- **Military Qualified:** Meets MIL-PRF-19500 standards for high reliability.  
- **Hermetic Packaging:** Ensures resistance to harsh environments, including moisture and radiation.  
- **High Power Handling:** Suitable for power amplification and switching applications.  
- **Rugged Construction:** Designed for extreme temperature and mechanical stress conditions.  
- **Long-Term Reliability:** Manufactured under strict military-grade quality controls.  

This transistor is commonly used in defense, aerospace, and other critical systems requiring guaranteed performance under extreme conditions.