NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR The JAN2N5039 is a high-reliability, military-grade PNP silicon transistor manufactured to meet stringent military specifications.  

### **Manufacturer:**  
- The JAN2N5039 is produced by manufacturers certified to MIL-PRF-19500 standards, ensuring high reliability and performance in demanding environments.  

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Silicon Transistor  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** -80V  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CBO):** -100V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EBO):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -1A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1W  
- **Transition Frequency (f_T):** 50MHz (typical)  
- **DC Current Gain (h_FE):** 40–120 (at I_C = -150mA, V_CE = -5V)  
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +200°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for military and aerospace applications requiring high reliability.  
- Hermetically sealed package for protection against harsh environments.  
- Meets JAN (Joint Army-Navy) qualification standards.  
- Suitable for switching and amplification in critical circuits.  
- Available in TO-39 metal can packaging for durability.  

This information is based on standard military-grade transistor specifications. For exact details, refer to the manufacturer's datasheet.

NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR