NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR The JAN2N5038 is a high-reliability, military-grade transistor. Below are the specifications, descriptions, and features based on available knowledge:  

### **Manufacturer:**  
- The JAN2N5038 is manufactured by companies qualified under military standards (MIL-PRF-19500).  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Silicon Power Transistor  
- **Package:** TO-39 Metal Can  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 80V  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** 100V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** 7V  
- **Collector Current (I_C):** 7A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W (at 25°C case temperature)  
- **DC Current Gain (h_FE):** 15 to 60 (at I_C = 4A, V_CE = 4V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 4MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +200°C  

### **Description:**  
- The JAN2N5038 is a rugged, high-power NPN transistor designed for military and aerospace applications.  
- It is built to withstand harsh environments and meets stringent reliability requirements.  

### **Features:**  
- **High Power Handling:** Capable of handling up to 40W of power dissipation.  
- **High Current Capability:** Supports up to 7A collector current.  
- **Military-Grade Reliability:** Manufactured under MIL-PRF-19500 standards for high reliability.  
- **Wide Temperature Range:** Operates from -65°C to +200°C.  
- **Hermetically Sealed Package:** TO-39 metal can ensures durability in extreme conditions.  

This information is based on standard military specifications for the JAN2N5038. For exact details, refer to the manufacturer's datasheet or military documentation.