LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR The JAN2N3700 is a high-reliability, military-grade NPN silicon transistor. Below are its key specifications, descriptions, and features based on available data:  

### **Manufacturer:**  
- Originally produced by **Motorola Semiconductor** (now part of ON Semiconductor).  
- May also be supplied by other qualified military/aerospace component manufacturers.  

### **Description:**  
- **Type:** NPN Silicon Transistor  
- **Application:** Designed for high-reliability military, aerospace, and industrial applications.  
- **Package:** TO-39 metal can (hermetic sealing for rugged environments).  

### **Key Specifications:**  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 60V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** 80V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 1A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_D):** 1W (at 25°C)  
- **DC Current Gain (h_FE):** 40 – 120 (at I_C = 10mA, V_CE = 1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 50MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +200°C  

### **Features:**  
- **Military Qualified:** Meets MIL-PRF-19500 standards for high reliability.  
- **Hermetically Sealed:** TO-39 package ensures resistance to harsh environments.  
- **Low Leakage:** Suitable for precision analog and switching applications.  
- **High Gain Bandwidth:** Useful for RF and amplification circuits.  

This transistor is typically used in critical systems where failure is not an option, such as avionics, radar, and communication equipment.  

(Note: Always verify datasheets from authorized sources for exact specifications.)