PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR The JAN2N2905A is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by **MOT** (Motorola). Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** MOT (Motorola)  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** PNP  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** 60V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 60V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 600mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 600mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 20 to 300 (depending on operating conditions)  
- **Transition Frequency (f_T):** 200MHz  
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +200°C  

### **Descriptions:**  
- The **JAN2N2905A** is a military-grade version of the **2N2905A**, designed for high-reliability applications.  
- It is a **PNP silicon transistor** used in switching and amplification circuits.  
- Suitable for **low-power, high-speed switching** and **general-purpose amplification**.  

### **Features:**  
- **High reliability** (military-grade specifications)  
- **Low leakage current**  
- **Fast switching speed**  
- **High current gain (h_FE)**  
- **Wide operating temperature range**  

This information is strictly based on the available data for the **JAN2N2905A** from **MOT (Motorola)**.