PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR The JAN2N2904 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by various suppliers under military-grade specifications (JAN designation). Below are its key specifications, descriptions, and features based on available data:  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** PNP  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** 60V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 40V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** 600mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 30 to 120 (varies with operating conditions)  
- **Transition Frequency (f_T):** 200MHz  
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +200°C  
- **Package Type:** TO-18 (metal can)  

### **Descriptions:**  
- The JAN2N2904 is a military-qualified version of the 2N2904 transistor, ensuring higher reliability and performance under extreme conditions.  
- It is commonly used in switching and amplification applications in military, aerospace, and industrial systems.  

### **Features:**  
- High reliability and ruggedness for harsh environments.  
- Low leakage current.  
- Suitable for high-speed switching applications.  
- Hermetically sealed metal package for enhanced durability.  

This information is based on standard datasheet parameters for the JAN2N2904 transistor.