SMALL SIGNAL BIPOLAR NPN SILICON The JAN2N2219A is a high-reliability, military-grade NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by M0T. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Silicon Transistor  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 40V  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** 75V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** 6V  
- **Maximum Collector Current (I_C):** 800mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 800mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 30 to 120 (at I_C = 10mA, V_CE = 1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 250MHz  
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +200°C  

### **Descriptions:**  
- The JAN2N2219A is a rugged, military-specification transistor designed for high-reliability applications.  
- It is hermetically sealed in a metal can package (TO-18) for enhanced durability in harsh environments.  
- Suitable for switching and amplification in military, aerospace, and industrial applications.  

### **Features:**  
- **Military Qualified (JAN/JANTX)** – Meets MIL-PRF-19500 standards.  
- **High Reliability** – Designed for critical applications requiring long-term stability.  
- **Hermetic Sealing** – Protects against moisture and contaminants.  
- **Wide Temperature Range** – Operates reliably in extreme conditions.  

This information is strictly based on the provided knowledge base. No additional guidance or suggestions are included.

SMALL SIGNAL BIPOLAR NPN SILICON

SMALL SIGNAL BIPOLAR NPN SILICON The JAN2N2219A is a high-reliability NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured to meet military specifications (MIL-PRF-19500).  

### **Manufacturer:**  
- **MOT (Motorola Semiconductor)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Silicon Transistor  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 40V  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** 75V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** 6V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** 800mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 800mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 30 to 120 (at I_C = 150mA, V_CE = 10V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 250MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +200°C  
- **Package:** TO-39 (hermetically sealed metal can)  

### **Features:**  
- **High Reliability:** Manufactured to military-grade standards (JAN, JANTX, or JANTXV)  
- **Hermetic Sealing:** Ensures long-term stability in harsh environments  
- **High-Speed Switching:** Suitable for RF and switching applications  
- **Low Noise:** Effective for amplification in sensitive circuits  

### **Applications:**  
- Military and aerospace systems  
- RF amplifiers  
- High-speed switching circuits  
- Industrial and medical electronics  

The JAN2N2219A is a rugged, high-performance transistor designed for critical applications requiring stringent reliability.

SMALL SIGNAL BIPOLAR NPN SILICON