SMALL SIGNAL BIPOLAR NPN SILICON The JAN2N2219A is a high-reliability, military-grade NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by M0T. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Silicon Transistor  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 40V  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** 75V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** 6V  
- **Maximum Collector Current (I_C):** 800mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 800mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 30 to 120 (at I_C = 10mA, V_CE = 1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 250MHz  
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +200°C  

### **Descriptions:**  
- The JAN2N2219A is a rugged, military-specification transistor designed for high-reliability applications.  
- It is hermetically sealed in a metal can package (TO-18) for enhanced durability in harsh environments.  
- Suitable for switching and amplification in military, aerospace, and industrial applications.  

### **Features:**  
- **Military Qualified (JAN/JANTX)** – Meets MIL-PRF-19500 standards.  
- **High Reliability** – Designed for critical applications requiring long-term stability.  
- **Hermetic Sealing** – Protects against moisture and contaminants.  
- **Wide Temperature Range** – Operates reliably in extreme conditions.  

This information is strictly based on the provided knowledge base. No additional guidance or suggestions are included.

SMALL SIGNAL BIPOLAR NPN SILICON The JAN2N2219A is a high-reliability NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured to meet military specifications (MIL-PRF-19500).  

### **Manufacturer:**  
- **MOT (Motorola Semiconductor)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Silicon Transistor  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 40V  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** 75V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** 6V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** 800mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 800mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 30 to 120 (at I_C = 150mA, V_CE = 10V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 250MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +200°C  
- **Package:** TO-39 (hermetically sealed metal can)  

### **Features:**  
- **High Reliability:** Manufactured to military-grade standards (JAN, JANTX, or JANTXV)  
- **Hermetic Sealing:** Ensures long-term stability in harsh environments  
- **High-Speed Switching:** Suitable for RF and switching applications  
- **Low Noise:** Effective for amplification in sensitive circuits  

### **Applications:**  
- Military and aerospace systems  
- RF amplifiers  
- High-speed switching circuits  
- Industrial and medical electronics  

The JAN2N2219A is a rugged, high-performance transistor designed for critical applications requiring stringent reliability.