NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR The part **JAN2N1890** is a **JAN (Joint Army-Navy) qualified** version of the **2N1890** transistor.  

### **Manufacturer:**  
- **NO (National Semiconductor)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Silicon Transistor  
- **Application:** High-reliability military and aerospace applications  
- **Package:** TO-39 metal can  
- **Maximum Ratings:**  
  - **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 60V  
  - **Collector-Base Voltage (V_CB):** 60V  
  - **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
  - **Collector Current (I_C):** 1A  
  - **Power Dissipation (P_D):** 5W (at 25°C)  
- **Electrical Characteristics:**  
  - **DC Current Gain (h_FE):** 20–120 (at I_C = 500mA, V_CE = 4V)  
  - **Transition Frequency (f_T):** 50MHz (typical)  

### **Descriptions and Features:**  
- **Military-grade reliability** with stringent testing and qualification standards (MIL-PRF-19500)  
- **High power handling** capability for rugged applications  
- **Hermetically sealed** TO-39 package for environmental protection  
- **Suitable for switching and amplification** in harsh conditions  

This part is designed for **defense and aerospace systems** where high reliability is critical.