256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs The IDT71V65803S100BG is a high-speed 3.3V synchronous SRAM manufactured by Integrated Device Technology (IDT).  

### **Key Specifications:**  
- **Density:** 8Mbit (512K x 16)  
- **Organization:** 512K words × 16 bits  
- **Speed:** 100MHz (10ns access time)  
- **Voltage Supply:** 3.3V (±10%)  
- **I/O:** LVTTL-compatible  
- **Package:** 100-ball BGA (Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C)  

### **Features:**  
- **Synchronous Operation:** Single clock edge (rising edge) controls all operations.  
- **Pipelined and Flow-Through Output Options:** Supports high-performance applications.  
- **Burst Mode Support:** Linear or interleaved burst sequences.  
- **Self-Timed Write Cycle:** Simplifies write operation timing.  
- **ZZ (Sleep) Mode:** Reduces power consumption during standby.  
- **JTAG Boundary Scan:** Supports IEEE 1149.1-compliant testability.  
- **Single-Cycle Deselect:** Enhances bus efficiency.  

This SRAM is commonly used in networking, telecommunications, and high-performance computing applications where fast data access is critical.

256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs The **IDT71V65803S100BG** is a high-speed synchronous SRAM manufactured by **IDT (Integrated Device Technology)**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Density:** 8Mbit (512K x 16)  
- **Organization:** 512K words × 16 bits  
- **Speed:** 100 MHz (10 ns access time)  
- **Voltage Supply:** 3.3V (±10%)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Package:** 119-ball BGA (Ball Grid Array)  
- **Interface:** Synchronous (Pipelined or Flow-through output options)  
- **I/O Type:** LVTTL-compatible  

### **Descriptions:**
- The **IDT71V65803S100BG** is a **3.3V synchronous SRAM** designed for high-performance applications requiring fast access times.  
- It supports **burst mode operations** for efficient data transfer.  
- Features **pipelined and flow-through output modes** for flexible system integration.  
- Suitable for networking, telecommunications, and high-speed computing applications.  

### **Features:**
- **High-speed operation:** 10 ns access time at 100 MHz.  
- **Low power consumption:** Standby and active power-saving modes.  
- **Burst mode support:** Linear or interleaved burst sequences.  
- **Clock-controlled operation:** Single clock cycle deselect.  
- **Byte write control:** Individual byte write enables (UB, LB).  
- **Self-timed write cycle:** Simplifies timing requirements.  
- **JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant):** For board-level testing.  

This SRAM is ideal for applications requiring **high-speed data buffering, caching, and memory expansion**.  

Would you like additional details on pin configurations or timing diagrams?