256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs The IDT71V65802S133BG is a high-speed 3.3V 1M x 8/512K x 16 SRAM (Static Random Access Memory) manufactured by Integrated Device Technology (IDT). Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Density:** 8Mb (1M x 8 / 512K x 16)  
- **Voltage Supply:** 3.3V ±10%  
- **Speed:** 133 MHz (7.5 ns access time)  
- **Organization:**  
  - 1,048,576 words x 8 bits  
  - 524,288 words x 16 bits  
- **Package:** 119-ball BGA (Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C)  
- **I/O Type:** LVTTL-compatible  

### **Descriptions:**  
- The IDT71V65802S133BG is a synchronous pipelined SRAM designed for high-performance applications.  
- It supports burst mode operations for efficient data transfer.  
- The device is commonly used in networking, telecommunications, and computing systems requiring fast memory access.  

### **Features:**  
- **Synchronous Operation:** Clock-controlled read/write operations.  
- **Burst Mode Support:** Linear or interleaved burst sequences.  
- **Pipelined Output:** Enables high-speed data throughput.  
- **Single 3.3V Power Supply:** Low power consumption.  
- **Byte Write Control:** Allows individual byte writes (for x16 configuration).  
- **JTAG Boundary Scan:** Supports IEEE 1149.1-compliant testability.  
- **Self-Timed Write Cycle:** Simplifies timing control.  
- **ZZ (Sleep) Mode:** Reduces power consumption during inactivity.  

This information is strictly based on the manufacturer's provided data for the IDT71V65802S133BG SRAM.