3.3V CMOS STATIC RAM 4 MEG (512K x 8-BIT) The IDT71V424S15PH is a high-speed 4Mbit (524,288 words × 8 bits) Static RAM (SRAM) manufactured by Integrated Device Technology (IDT).  

### **Key Specifications:**  
- **Density:** 4Mbit (512K × 8)  
- **Organization:** 524,288 words × 8 bits  
- **Supply Voltage:** 3.3V (±0.3V)  
- **Access Time:** 15 ns  
- **Operating Current:** 85 mA (typical)  
- **Standby Current:** 5 mA (typical, CMOS level)  
- **Package:** 32-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C)  

### **Descriptions and Features:**  
- **High-Speed Performance:** 15 ns access time for fast read/write operations.  
- **Low Power Consumption:** CMOS technology ensures low standby current.  
- **Single 3.3V Power Supply:** Compatible with modern low-voltage systems.  
- **Fully Static Operation:** No refresh cycles required.  
- **TTL-Compatible Inputs/Outputs:** Ensures easy interfacing with other logic families.  
- **Three-State Outputs:** Allows for bus sharing in multi-device systems.  
- **Industrial-Standard Pinout:** Compatible with other 512K × 8 SRAMs.  
- **Automatic Power-Down:** Reduces power consumption when deselected.  

This SRAM is commonly used in networking, telecommunications, and high-performance computing applications where fast access and low power consumption are critical.

3.3V CMOS STATIC RAM 4 MEG (512K x 8-BIT) ### **IDT71V424S15PH Manufacturer: IDT**  

#### **Specifications:**  
- **Type:** 3.3V CMOS Static RAM (SRAM)  
- **Density:** 4 Megabit (512K x 8)  
- **Speed:** 15 ns access time  
- **Voltage Supply:** 3.3V ±10%  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C)  
- **Package:** 44-pin TSOP (Type II)  
- **I/O Interface:** 5V-tolerant inputs and outputs  
- **Standby Current (Typical):** 10 mA (Operating), 5 µA (TTL Standby), 2 µA (CMOS Standby)  
- **Organization:** 512K words × 8 bits  
- **Cycle Time:** 15 ns  

#### **Descriptions:**  
The **IDT71V424S15PH** is a high-speed CMOS static RAM designed for applications requiring fast access times and low power consumption. It features a 512K × 8 organization and operates at 3.3V, making it suitable for embedded systems, networking, and telecommunications applications.  

#### **Features:**  
- **High-Speed Performance:** 15 ns access time  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active current: 90 mA (typical)  
  - Standby current: 5 µA (TTL), 2 µA (CMOS)  
- **5V-Tolerant Inputs/Outputs:** Allows interfacing with 5V systems  
- **Fully Static Operation:** No clock or refresh required  
- **Industrial-Standard Pinout:** Compatible with other 512K × 8 SRAMs  
- **Three-State Outputs:** Supports bus-oriented applications  
- **Automatic Power-Down:** Reduces power consumption when deselected  

This SRAM is ideal for cache memory, buffer storage, and other high-performance memory applications.