3.3V CMOS STATIC RAM 4 MEG (512K x 8-BIT) The **IDT71V424S12YG** is a high-speed CMOS static RAM (SRAM) manufactured by **Integrated Device Technology (IDT)**. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Density:** 4 Megabits (512K x 8 bits)  
- **Organization:** 524,288 words × 8 bits  
- **Voltage Supply:** 3.3V (±10%)  
- **Access Time:** 12 ns  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C)  
- **Package Type:** 44-pin TSOP (Type II)  
- **I/O Type:** 3.3V CMOS-compatible  

### **Descriptions:**
- The **IDT71V424S12YG** is a **3.3V synchronous SRAM** designed for high-performance applications.  
- It features a **fully synchronous operation** with a single clock input for controlling all operations.  
- The device is suitable for **cache memory, networking, and telecommunications** applications.  

### **Features:**
- **High-Speed Performance:** 12 ns access time.  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active current: 150 mA (typical)  
  - Standby current: 20 mA (typical)  
- **Synchronous Operation:** Single clock edge-controlled read/write cycles.  
- **Byte Write Control:** Individual byte write enable signals for selective writes.  
- **Self-Timed Write Cycle:** Simplifies timing requirements.  
- **JTAG Boundary Scan (IEEE 1149.1 compliant):** Supports testability.  
- **RoHS Compliant:** Lead-free and environmentally friendly.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.