IDT71V35781S200BG

128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect The **IDT71V35781S200BG** is a high-speed synchronous SRAM manufactured by Integrated Device Technology (IDT).  

### **Key Specifications:**  
- **Type:** 3.3V Synchronous SRAM  
- **Density:** 8Mbit (512K x 18)  
- **Speed:** 200 MHz  
- **Organization:** 512K words × 18 bits  
- **Supply Voltage:** 3.3V ± 0.3V  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C)  
- **Package:** 100-pin TQFP (14mm x 20mm)  

### **Features:**  
- **Pipelined and Flow-through operation**  
- **Single clock cycle operation**  
- **Byte Write Control** (Upper and Lower Byte Enable)  
- **Self-timed Write Cycle**  
- **JTAG Boundary Scan (IEEE 1149.1 compliant)**  
- **Low-power standby mode**  
- **3.3V I/O (TTL-compatible)**  
- **Industrial temperature range option available (IDT71V35781S200BGI)**  

This SRAM is designed for high-performance applications requiring fast access times and synchronous operation.  

Would you like additional details on timing parameters or pin configurations?

128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect