HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT The IDT71V321S25TF is a high-speed 32K x 32-bit synchronous SRAM manufactured by IDT (Integrated Device Technology). Below are its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Density:** 1Mbit (32K x 32-bit)  
- **Organization:** 32,768 words × 32 bits  
- **Supply Voltage:** 3.3V (±10%)  
- **Access Time:** 2.5 ns (maximum)  
- **Cycle Time:** 2.5 ns (minimum)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Package:** 100-pin Thin Quad Flat Pack (TQFP)  
- **I/O Type:** Single-ended  
- **Interface:** Synchronous  

### **Descriptions:**  
- The IDT71V321S25TF is a high-performance synchronous SRAM designed for applications requiring fast data access and high bandwidth.  
- It supports a fully synchronous operation with a single clock input for all timing.  
- The device features a common data input/output (I/O) bus, simplifying system design.  
- It is suitable for networking, telecommunications, and high-speed computing applications.  

### **Features:**  
- **High-Speed Performance:** 2.5 ns access time for fast data processing.  
- **Synchronous Operation:** All signals are registered on the rising edge of the clock.  
- **3.3V Power Supply:** Low-power CMOS technology.  
- **Byte Write Control:** Individual byte write enables for selective data updates.  
- **Pipelined Output Option:** Supports high-frequency operation with registered outputs.  
- **JTAG Boundary Scan:** Supports IEEE 1149.1-compliant boundary scan for testability.  
- **Low Standby Power:** Ideal for power-sensitive applications.  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the IDT71V321S25TF.

HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT The IDT71V321S25TF is a high-speed 32K x 32-bit synchronous SRAM manufactured by Integrated Device Technology (IDT). Below are its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Density:** 1Mbit (32K x 32-bit)  
- **Organization:** 32,768 words × 32 bits  
- **Supply Voltage:** 3.3V (±10%)  
- **Access Time:** 2.5ns (maximum)  
- **Cycle Time:** 2.5ns  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Package:** 100-pin Thin Quad Flat Pack (TQFP)  
- **I/O Type:** Single-ended  

### **Descriptions:**
- **Type:** Synchronous SRAM (Static Random-Access Memory)  
- **Interface:** Synchronous with separate read and write ports  
- **Operation:** Pipelined or flow-through output options  
- **Refresh:** Not required (static memory)  
- **Applications:** Networking, telecommunications, high-performance computing  

### **Features:**
- **High-Speed Performance:** 2.5ns access time for high-speed applications  
- **Synchronous Operation:** Clock-controlled read and write operations  
- **Burst Mode Support:** Supports linear or interleaved burst sequences  
- **Byte Write Control:** Individual byte write enables for flexible data handling  
- **Low Standby Power:** Power-down mode reduces power consumption  
- **3.3V Power Supply:** Compatible with low-voltage systems  
- **JTAG Boundary Scan:** Supports IEEE 1149.1 for testability  

This SRAM is designed for applications requiring fast, reliable data storage and retrieval in high-performance systems.