128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect The IDT71V25761S200BG is a high-speed 256K x 36 synchronous SRAM manufactured by Integrated Device Technology (IDT). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Density:** 9,437,184 bits (256K x 36)  
- **Organization:** 262,144 words × 36 bits  
- **Supply Voltage:** 3.3V ±10%  
- **Speed Grade:** 200 MHz (5 ns access time)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C)  
- **Package:** 119-ball BGA (Ball Grid Array)  
- **I/O Type:** LVTTL-compatible  
- **Refresh:** Not required (Static RAM)  

### **Descriptions:**
- The IDT71V25761S200BG is a synchronous SRAM designed for high-performance applications requiring fast data access.  
- It supports burst mode operations for efficient data transfer.  
- Features a pipelined output stage for reduced cycle time.  
- Suitable for networking, telecommunications, and high-speed computing applications.  

### **Features:**
- **Synchronous Operation:** Clock-controlled read/write operations.  
- **Burst Mode Support:** Linear or interleaved burst sequences.  
- **Single-Cycle Deselect:** Allows for efficient bus utilization.  
- **Byte Write Control:** Individual byte write enables (BW1-BW4).  
- **Self-Timed Write Cycle:** Simplifies timing requirements.  
- **JTAG Boundary Scan:** Supports IEEE 1149.1-compliant testing.  
- **Low Standby Power:** Power-down mode for reduced consumption.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly manufacturing.  

For detailed timing diagrams and electrical characteristics, refer to the official IDT datasheet.