128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs The IDT71V2548S133BG is a high-speed 3.3V CMOS synchronous SRAM manufactured by Integrated Device Technology (IDT). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Density:** 256K x 18 (4.5 Mbit)  
- **Organization:** 262,144 words × 18 bits  
- **Supply Voltage:** 3.3V ± 0.3V  
- **Speed:** 133 MHz (7.5 ns access time)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C)  
- **Package:** 119-ball BGA (Ball Grid Array)  
- **I/O Type:** Common I/O (shared input/output)  
- **Interface:** Synchronous (pipelined or flow-through options)  
- **Refresh:** Not required (static RAM)  

### **Descriptions:**
- The IDT71V2548S133BG is a synchronous SRAM designed for high-performance applications requiring fast data access.  
- It supports both pipelined and flow-through operation modes.  
- The device operates with a single 3.3V power supply and is compatible with LVTTL I/O levels.  
- It features a common I/O structure, allowing for efficient data transfer.  

### **Features:**
- **High-Speed Operation:** 133 MHz clock frequency with 7.5 ns access time.  
- **Low Power Consumption:** Standby and operating power-saving modes.  
- **Synchronous Operation:** Addresses, data, and control signals are registered on the rising edge of the clock.  
- **Byte Write Control:** Individual byte write enable signals for flexible write operations.  
- **Self-Timed Write Cycle:** Simplifies timing requirements.  
- **JTAG Boundary Scan:** Supports IEEE 1149.1-compliant boundary scan for testing.  
- **Industrial-Grade Options Available:** Some variants support extended temperature ranges.  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the IDT71V2548S133BG.

128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs The IDT71V2548S133BG is a high-speed 256K x 18 synchronous SRAM manufactured by Integrated Device Technology (IDT). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Density:** 256K x 18 (4.5 Mbit)  
- **Organization:** 262,144 words × 18 bits  
- **Supply Voltage:** 3.3V ± 0.3V  
- **Speed:** 133 MHz (7.5 ns access time)  
- **Operating Current:** 250 mA (typical)  
- **Standby Current:** 30 mA (typical)  
- **I/O Type:** LVTTL-compatible  
- **Package:** 119-ball BGA (Ball Grid Array)  

### **Descriptions:**  
- **Type:** Synchronous Pipelined SRAM  
- **Interface:** Supports burst and linear addressing modes  
- **Clock:** Single clock (CLK) input for synchronous operation  
- **Control Signals:** Includes chip enable (CE), output enable (OE), and write enable (WE)  

### **Features:**  
- **Pipelined Operation:** Allows high-speed data throughput with registered inputs and outputs.  
- **Burst Mode Support:** Supports interleaved or linear burst sequences.  
- **Self-Timed Write Cycle:** Simplifies write operation timing.  
- **Single 3.3V Power Supply:** Low-voltage operation for reduced power consumption.  
- **JTAG Boundary Scan (IEEE 1149.1):** Supports testability and board-level diagnostics.  
- **Pb-Free and RoHS Compliant:** Environmentally friendly manufacturing.  

This SRAM is designed for high-performance applications such as networking, telecommunications, and data processing systems.