3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout The **IDT71V124SA12TYI** is a high-speed 1M x 12-bit (12Mb) synchronous SRAM manufactured by **Integrated Device Technology (IDT)**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Density:** 12Mb (1M x 12-bit)  
- **Organization:** 1,048,576 words × 12 bits  
- **Supply Voltage:** 3.3V (±10%)  
- **Access Time:** 12ns (maximum)  
- **Cycle Time:** 12ns  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C)  
- **Package Type:** 32-pin TSOP (Type I)  
- **Interface:** Synchronous (pipelined)  
- **I/O Type:** Common I/O (shared data input/output)  
- **Power Consumption:**  
  - Active: ~750mW (typical)  
  - Standby: ~15mW (typical)  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-performance applications requiring fast data access.  
- Supports burst mode operation for efficient data transfer.  
- Features a **self-timed write cycle** for simplified timing control.  
- Compatible with **3.3V LVTTL** logic levels.  
- Suitable for networking, telecommunications, and computing applications.  

### **Features:**  
- **Synchronous Operation:** Clock-controlled read/write cycles.  
- **Pipelined Output:** Enables high-speed data throughput.  
- **Single 3.3V Power Supply:** Low-voltage operation.  
- **Byte Write Control:** Allows individual byte writes (upper/lower bytes).  
- **JTAG Boundary Scan (IEEE 1149.1):** Supports testability.  
- **Automatic Power-Down:** Reduces power in inactive states.  
- **Industrial-Grade Options Available:** Extended temperature range (-40°C to +85°C) in other variants.  

This SRAM is ideal for applications requiring fast, reliable memory with low power consumption. For detailed timing diagrams and electrical characteristics, refer to the official **IDT datasheet**.