3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout The **IDT71V124SA10YI** is a high-speed CMOS static RAM (SRAM) from Integrated Device Technology (IDT). Below are the key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Density:** 1 Megabit (128K x 8-bit)
- **Technology:** High-speed CMOS
- **Supply Voltage:** 3.3V (±10%)
- **Access Time:** 10 ns
- **Operating Current:** 70 mA (typical)
- **Standby Current:** 5 mA (typical)
- **Package:** 32-pin SOJ (Small Outline J-Lead)
- **Temperature Range:** Industrial (-40°C to +85°C)
- **Organization:** 131,072 words × 8 bits

### **Descriptions:**
- **Type:** Asynchronous SRAM
- **Functionality:** Non-volatile memory with fast read/write operations.
- **Interface:** Parallel (8-bit data bus)
- **Control Signals:** Chip Enable (CE), Output Enable (OE), Write Enable (WE)

### **Features:**
- **High-Speed Performance:** 10 ns access time for fast data retrieval.
- **Low Power Consumption:** Optimized for battery-operated and portable applications.
- **3.3V Operation:** Compatible with low-voltage systems.
- **Industrial Temperature Range:** Suitable for harsh environments.
- **Fully Static Operation:** No refresh cycles required.
- **TTL-Compatible Inputs/Outputs:** Easy integration with existing logic.
- **Single-Chip Solution:** No external components needed for operation.

This SRAM is commonly used in networking, telecommunications, and embedded systems where fast and reliable memory access is required.

3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout