3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout The **IDT71V124SA10PHI** is a high-speed CMOS static RAM (SRAM) manufactured by **Integrated Device Technology (IDT)**. Below are its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Density:** 1 Megabit (128K x 8-bit)  
- **Technology:** High-speed CMOS  
- **Voltage Supply:** 3.3V (±10%)  
- **Access Time:** 10 ns  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C (Industrial)  
- **Package Type:** 32-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Organization:** 131,072 words × 8 bits  
- **I/O Type:** Common I/O (3-state)  
- **Standby Current:** Low power standby mode (typically 5 mA)  
- **Operating Current:** Active current (typically 80 mA @ 10 ns)  

### **Descriptions:**
- The **IDT71V124SA10PHI** is a **3.3V asynchronous SRAM** designed for high-performance applications requiring fast access times.  
- It features a **common I/O structure**, eliminating the need for separate input and output pins.  
- The device is **fully static**, meaning no clocks or refresh cycles are required.  
- It is **TTL-compatible** with three-state outputs and is suitable for industrial environments.  

### **Features:**
- **Fast Access Time:** 10 ns  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active: 80 mA (typical)  
  - Standby: 5 mA (typical)  
- **Single 3.3V Power Supply**  
- **Fully Static Operation:** No refresh required  
- **Three-State Outputs**  
- **Industrial Temperature Range (-40°C to +85°C)**  
- **TSOP Package for Space-Efficient Designs**  
- **CMOS Technology for High Performance and Low Power**  

This SRAM is commonly used in networking, telecommunications, and embedded systems where fast, reliable memory access is critical.  

(Note: Always refer to the official datasheet for detailed electrical characteristics and timing diagrams.)