HIGH-SPEED 3.3V 8K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM The **IDT70V05S25J** is a high-performance, low-power, 3.3V CMOS synchronous SRAM manufactured by **Integrated Device Technology (IDT)**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Density:** 512Kb (64K x 8)  
- **Voltage Supply:** 3.3V (±10%)  
- **Access Time:** 25ns  
- **Organization:** 64K x 8  
- **Package:** 32-pin SOJ (Small Outline J-Lead)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C)  
- **I/O Type:** 3.3V CMOS-compatible  
- **Cycle Time:** 25ns  

### **Descriptions:**
- The **IDT70V05S25J** is a synchronous SRAM designed for high-speed, low-power applications.  
- It features a fully synchronous operation with a single clock input for controlling all operations.  
- The device supports burst mode operation for improved data throughput.  
- It is commonly used in networking, telecommunications, and high-performance computing applications.  

### **Features:**
- **Synchronous Operation:** Single clock controls all read/write cycles.  
- **Burst Mode Support:** Linear or interleaved burst sequences.  
- **Low Power Consumption:** Standby and operating power-saving modes.  
- **3.3V Power Supply:** Compatible with 3.3V systems.  
- **CMOS Technology:** Ensures high performance and low power dissipation.  
- **JTAG Boundary Scan:** Supports IEEE 1149.1 for testability.  
- **Flow-Through or Pipelined Output:** Configurable for performance optimization.  

This SRAM is ideal for applications requiring fast access times and efficient power consumption.