IDT06S60C

2nd generation thinQ SiC Schottky Diode The **IDT06S60C** is a power semiconductor device manufactured by **Infineon Technologies**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** Schottky Diode  
- **Voltage Rating (VRRM):** 60 V  
- **Average Forward Current (IF(AV)):** 6 A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 150 A  
- **Forward Voltage (VF):** Typically 0.49 V (at 6 A, 25°C)  
- **Reverse Leakage Current (IR):** Typically 0.5 mA (at 60 V, 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (Tj):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
- The **IDT06S60C** is a **Schottky rectifier diode** optimized for **high efficiency and low power loss** in switching applications.  
- It is designed for **automotive and industrial applications**, offering **fast switching** and **low forward voltage drop**.  

### **Features:**  
- **Low forward voltage drop** for reduced conduction losses.  
- **High surge current capability** for robust performance.  
- **AEC-Q101 qualified** for automotive applications.  
- **Lead-free and RoHS compliant**.  
- **Optimized for high-frequency switching** in power supplies, DC-DC converters, and motor control circuits.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

2nd generation thinQ SiC Schottky Diode