Standard Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated The IXTT11P50 is a power MOSFET manufactured by IXYS. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:** IXYS  
### **Part Number:** IXTT11P50  

### **Specifications:**  
- **Device Type:** P-Channel Power MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS):** -500V  
- **Current Rating (I_D):** -11A (continuous drain current)  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.85Ω (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1100pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IXTT11P50 is a high-voltage P-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for high-efficiency power conversion circuits.  

### **Features:**  
- High voltage capability (-500V)  
- Low gate charge for fast switching  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- High power dissipation capability (150W)  
- Robust construction for reliable performance in demanding environments  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Standard Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated