IXTQ96N20P

N-Channel Engancement Mode The IXTQ96N20P is a power MOSFET manufactured by IXYS. Below are the factual specifications, descriptions, and features from the available knowledge base:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** IXYS  
- **Part Number:** IXTQ96N20P  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 200V  
- **Current Rating (I_D):** 96A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_D):** 600W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.019Ω (typical)  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 4V (typical)  
- **Gate Charge (Q_g):** 150nC (typical)  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions:**  
The IXTQ96N20P is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance, high current handling, and fast switching speeds, making it suitable for high-power inverters, motor drives, and industrial applications.

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **High current capability** (96A continuous).  
- **Fast switching performance** for efficient operation.  
- **Robust TO-247 package** for high power dissipation.  
- **Avalanche energy rated** for improved reliability in harsh conditions.  

For detailed application-specific information, refer to the official IXYS datasheet.

N-Channel Engancement Mode